Велика енциклопедия на нефт и газ

Единична дислокация

Единични дислокации и дислокационни клъстери в сребърни халогениди могат да бъдат украсени и открити чрез утаяване на среброто от осветлението. Таблица 11.5 показва различни методи за декориране на кристали. [един]

В допълнение към движението на единични дислокации, полигонизацията включва миграция на дислокационни групи на етапа на формиране на подграници и миграция на граници на дислокации с нисък ъгъл на етапа на растеж на подзърнените култури. Подробностите на тези процеси все още са слабо разбрани. В литературата няма достатъчно информация за влиянието на степента на деформация върху полигонизационните процеси. [2]

Моделите на офорт разкриват излизанията на единични дислокации върху (100) повърхността на NaCl кристала (оптичен микроскоп, увеличение [3]

Форман и Мейкин [27] бяха първите, които симулираха движението на единична дислокация през хаотична мрежа от препятствия и определиха SPF за напредването му, без да вземат предвид термичното активиране. [пет]

Cu (частици b - фазите са нанизани на единични дислокации; отгряване за 1-5 h при 200 C); b - A1 - 3% Cu (дислокационни мрежи са разположени между частиците във фаза. C); c - AI - 5% Cu (след прехода към - - в 6-фазните частици са нанизани на границите на подзърната; след разтваряне на някои частици, подзърната могат да растат чрез преместване на тройното съединение или завъртане на подзърното. [7]

Конусите за растеж обикновено се образуват не на единични дислокации, а на натрупвания на дислокации. Ако няколко групи дислокации действат едновременно върху лице, тогава слоевете, излъчвани от най-активната група, могат да потиснат работата на други групи и единични дислокации. Следователно, въпреки че плътността на дислокациите, както вече беше посочено, е висока, при стабилни условия върху повърхността на лицето действат само няколко центъра на растеж, а понякога дори и един. Ако пренасищането се промени, тогава повърхността е покрита с много малки конуси за растеж. От известно време има селекция, която завършва с факта, че на ръба отново има няколко от най-активните центрове за растеж и те могат да бъдат нови, но преди това неактивни. [девет]

W/cm2, плътността на дислокациите достига 10 e cm 2 - Наблюдават се единични дислокации и преплитане на дислокации, което показва тяхното взаимодействие. С увеличаване на плътността на мощността на излъчване до 2 7 HO4 W/cm2, средната плътност на дислокация се увеличава до 1010 cm-2 и повече и се наблюдава образуването на дислокационни мрежи. С по-нататъшно увеличаване на плътността на мощността до 8 104 W/cm2 (нивото, съответстващо на топенето на материала), в материала се появява клетъчна дислокационна структура с плътност на дислокация в границите на клетките до 1011 - 1012 cm -2. Подобна структура е характерна за силно деформирани метали. [десет]

При разглеждането на въпроса за структурата на дислокациите е необходимо да се вземат предвид не само натрупванията на единични дислокации, ориентирани по определен начин, но и появата на подредени структури на дислокации - границите на клетките, полигоните. Това важи особено за стомани, деформирани при високи температури, когато се образува многоъгълна подструктура. [единадесет]

В колектив от дислокационни структури се наблюдава сложно последователно поведение, което не е присъщо на единични дислокации. Това води до значително увеличаване на разсейването на доставяната енергия. [12]

Приносът за латентната енергия на деформация от дислокации възниква както поради енергията, пряко свързана с енергията на изкривяване на кристалната решетка от една дислокация, така и поради енергията на взаимодействие на дислокациите помежду си, с кондензирани атмосфери на разтворени атоми и други видове взаимодействие. [петнадесет]